主旨:多腔體電漿蝕刻系統(P5000E)於9月1日起終止服務。

說明:

  1. 奈米中心將在P5000E位置安裝新的矽蝕刻機,故P5000E於9月1日起終止服務。
  2. 原P5000E提供之SiO2及Si3N4蝕刻服務,移轉至介電質蝕刻系統 (RIE-400iP-2);Si蝕刻服務,移轉至矽深蝕刻系統(Si Deep-RIE)或是新安裝之矽蝕刻機。
  3. 如有特殊原因必須繼續使用P5000E,請於7月31日前向奈米中心提出,最多延長服務至9月30日。
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