所有申請自行操作儀器程序完成後,其門禁權限只有周一至周五8:00~17:00時間可使用。如需擁有24小時(包含假日)門禁權限,其相關規定與申請方法如下所示 :
1.請登入儀器管理系統下載列印下列表單(可參考下列「各儀器設備申請24小時自行操作實作次數」):
◎奈米中心儀器: 請列印24小時自行操作實作記錄表 (一部儀器一張記錄表)
◎非奈米中心儀器 & 電子教學實驗室之設備: 請列印『非奈米中心儀器設備申請24小時操作同意書』 (一部儀器一張記錄表)
2.填寫完表單後,請繳交NFC何小姐核章,即可由合格訓練員陪同並持此表單於夜間進行夜間累積數

3.累積次數完後,請找各機台技術員簽名,再將「24小時自行操作實作記錄表 」繳給NFC何小姐,3天後(不含假日)磁卡權限將設定完成。

各儀器設備申請24小時自行操作實作次數 (限三個月內)如下:
1. 濕式工作台(Wet Bench): 3次 
2. 光罩對準曝光機與光阻處理系統(Mask Aligner): 5次
3. 雙面光罩對準曝光機(Double Side Mask Aligner): 5次
4. 全光譜反射膜厚量測儀(Reflectometer): 5次
5.氧化擴散系統(Oxidation & Diffusion furnaces): 3次
6. 低壓化學氣相沉積系統(LPCVD): 5次
7. 電漿輔助化學沉積系統(PECVD)PD220: 5次
8. 熱阻絲蒸鍍系統Thermal Evaporation Coater: 3次
9. 雙電子鎗蒸鍍系統Dual E-Gun Evaporation System A 及 B: 5次
10.真空濺鍍系統Sputter System A台及Sputter System B台: 4次
11.介電性材料活性離子蝕刻機A(RIE400iP): 5次
12.導電性材料活性離子蝕刻機((HDP-RIE)及POLY-RIE: 5次
13.矽深蝕刻系統(DEEP-RIE): 5次
14.介電性材料活性離子蝕刻機B(RIE200L): 5次
15.多腔體電漿蝕刻系統(P5000E): 5次
16.四點探針 (4-point Probe): 3次
17.探針式輪廓儀(DektakXT): 3次
18.原子層化學氣相沈積系統(ALD): 5次
19.橢圓測試儀(Ellipsometer): 5次
20.高真空鍍膜系統(High Vacumn Deposition System): 5次
21.快速退火系統(RTA): 2次
**其它單位進駐固態大樓潔淨室之儀器設備,比照上列同類型設備辦理**
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